El transistor “indestructible”

Imagineu un transistor practicament indestructible. La tecnologia LDMOS i la ciència de NXP Semiconductors permet crear un transistor com el nou BLF578XR, ideal per aplicacions de potència com Laser o amplificadors de RF. Un sol transistor pot donar 1200W amb una eficiència del 70%. El video és impressionant, davant un curtcircuit real, vejeu el tornavís de l’enginyer fent un arc en curt circuitar la sortida d’un amplificador equipat amb aquest transistor, o les variacions de ROE sobtades i enormes que es simulen en aquest laboratori.
Un amplificador amb dues d’aquestes “pastilles” pot servir per construïr un amplificador linial d’HF “full legal output” amb característiques tècniques “de manual”. Un sol transistor pot servir per construir un aplificador de 400W amb tan sols 1W d’excitació a VHF.
Més info a www.nxp.com
Nota: Radioaficionats.cat no té cap rel·lació comercial ni interès de cap naturalesa amb NXP Semiconductors.
Video propietat de NXP


Imagineu un transistor practicament indestructible. La tecnologia LDMOS i la ciència de NXP Semiconductors permet crear un transistor com el nou BLF578XR, ideal per aplicacions de potència com Laser o amplificadors de RF. Un sol transistor pot donar 1200W amb una eficiència del 70%. El video és impressionant, davant un curtcircuit real, vejeu el tornavís de l’enginyer fent un arc en curt circuitar la sortida d’un amplificador equipat amb aquest transistor, o les variacions de ROE sobtades i enormes que es simulen en aquest laboratori.
Un amplificador amb dues d’aquestes “pastilles” pot servir per construïr un amplificador linial d’HF “full legal output” amb característiques tècniques “de manual”. Un sol transistor pot servir per construir un aplificador de 400W amb tan sols 1W d’excitació a VHF.
Més info a www.nxp.com
Nota: Radioaficionats.cat no té cap rel·lació comercial ni interès de cap naturalesa amb NXP Semiconductors.
Video propietat de NXP

Please follow and like us:
error0

Deixa un comentari